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一种提高ITO薄膜性能的射频磁控溅射工艺及ITO薄膜

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一种提高ITO薄膜性能的射频磁控溅射工艺，包括如下步骤：1）制备粉末靶材：先将ITO粉体注入到模具中，铺平，封闭模具后压制成型；2）将步骤1）制备好的靶材和具有导热性能的基片置于真空溅射腔室内；3）将通入氧气和氩气流量比调整为0.1：14~16，设置镀膜功率为150w~175w，镀膜时间为3~4h，溅射气压为1.0~1.2Pa，基片的加热温度为300~400℃；4)溅射完毕后在射频磁控溅射设备中保持温度200~300℃，保温时间为0.5~1h；5）溅射完毕后将已镀膜基片进行退火处理即得所述薄膜。该发明以粉末靶材来制备薄膜，极大降低ITO薄膜的制备成本，而且性能优越，符合工业生产和应用的要求。

著录项

公开/公告号CN104593739A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-05-06

原文格式PDF
申请/专利权人庞凤梅;徐国华;罗永城;
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申请/专利号CN201410816069.1
发明设计人庞凤梅;徐国华;罗永城;
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申请日2014-12-25
分类号C23C14/35;C23C14/06;
代理机构广西南宁汇博专利代理有限公司;
代理人邓晓安
地址 530022 广西壮族自治区南宁市民族大道89号金禄大厦8楼
入库时间 2023-12-17 04:57:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-14

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/35 申请公布日:20150506 申请日:20141225

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20141225

实质审查的生效
2015-05-06

公开

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