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一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺

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摘要

本发明公开了一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺，步骤如下：选取高透玻璃衬底，将其放入磁控溅射设备中；将磁控溅射设备的温底调至300℃，抽真空度至10^(-4)Pa；在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体；开启磁控溅射设备电源，进行ITO薄膜沉积；ITO薄膜沉积后，关闭磁控溅射设备电源；在磁控溅射设备中继续抽真空，保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa，时间为30min；在磁控溅射设备中充气至大气压，温度降低至室温，最后取出高透玻璃衬底。本发明增加原位真空低温退火步骤，使ITO薄膜光学透过率达到90%～95%，方块电阻在30Ω/sq以下，且无需改变现有设备。

著录项

  • 公开/公告号CN104195519A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司;

    申请/专利号CN201410448333.0

  • 发明设计人 金井升;蒋方丹;金浩;陈康平;

    申请日2014-09-05

  • 分类号C23C14/35;C23C14/58;

  • 代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司;

  • 代理人吴关炳

  • 地址 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业区袁溪路58号

  • 入库时间 2023-12-17 02:39:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/35 申请公布日:20141210 申请日:20140905

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-01-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20140905

    实质审查的生效

  • 2014-12-10

    公开

    公开

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