LED芯片

摘要： 文章基于不同的应力加速模式对LED芯片进行寿命试验,比较应力加速模式和正常老化模式的光电参数、LED电流和结温变化,分析加速应力和光通量衰减等参数之间的关系,分析测量光参数可能出现的突变点,确定温度加载极限。根据不同组合加速测试方法,对相关测试数据进行曲线拟合,分析测试结果的合理性并推断所选取样品的老化寿命。结果表明:“高温+电气”组合应力加速寿命试验方法具有可行性。

摘要： 三安光电成立于2000年,主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。其第一大主业LED芯片业务前期由于竞争激烈陷入低迷,但随着Mini LED等新应用出现,正逐渐摆脱冗余、利微的窘境。

摘要： 每当夜幕降临,南昌赣江两岸,光影交错的LED灯光秀,似散落人间的满天星辰,如梦如幻,一眼千年。今日的南昌,已成为LED产业重镇:LED芯片产能已跃居全球前三,成为国内最大的大功率LED光源生产基地,手机闪光灯和移动照明出货量全球第一。硅衬底LED技术发明人、中国科学院院士、南昌大学副校长江风益,时常在深夜加班之际,抬头凝望窗外这满城“繁星”,心中涌起万千波澜,璀璨的背后是无数个孤独之夜的黑暗探索和数不清的失败尝试。

摘要： 为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO_(2)薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO_(2)图形化蓝宝石衬底(SiO_(2)patterned sapphire substrate,SPSS),利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于SPSS的GaN基LED器件。通过分析GaN外延层晶体质量、光提取效率和LED器件性能,重点研究了SPSS对GaN生长及LED发光性能的影响。实验及模拟仿真结果表明,与常规图形化蓝宝石衬底(Conventional patterned sapphire substrate,CPSS)相比,SPSS上生长的GaN外延层位错密度较低,晶体质量较高,SPSS-LED的光提取效率提高26%、光输出功率和亮度均提高约5%。

摘要： 为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO2图形化蓝宝石衬底(SiO2 patterned sap-phire substrate,SPSS),利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于SPSS的GaN基LED器件.通过分析GaN外延层晶体质量、光提取效率和LED器件性能,重点研究了SPSS对GaN生长及LED发光性能的影响.实验及模拟仿真结果表明,与常规图形化蓝宝石衬底(Conventional patterned sapphire substrate,CPSS)相比,SPSS上生长的GaN外延层位错密度较低,晶体质量较高,SPSS-LED的光提取效率提高26％、光输出功率和亮度均提高约5％.

摘要： 在硅衬底上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长氮化镓外延片,经过芯片工艺加工成尺寸在4 mil×4 mil至7 mil×7 mil的蓝绿Mini LED芯片,再匹配普通或反极性红光LED芯片,可以制作全垂直结构LED芯片的超高清全彩显示屏.主要应用在户内外显示、高清娱乐、远程视频会议等场景应用.相较于当前的蓝宝石衬底的蓝绿LED芯片有节省器件空间、生产设备效率高、可靠性好、显示效果优良,可以制作间距在P1.0及以下的超高清显示屏等优点.相同尺寸的垂直结构的mini蓝绿芯片较普通蓝宝石的发光面积要大20％ ～40％,因蓝宝石的N电极要占用芯片发光区面积,而垂直芯片则没有此项面积损失.

摘要： 近期,三安光电在高端产业领域的动态连连。一方面,湖北三安Mini/Micro LED项目正式投产;另一方面,三安集成的碳化硅晶圆制造基地也将于下半年投产。湖北三安第一批晶圆片正式投料根据国家葛店经开区消息显示,4月16日,湖北三安III-V族化合物半导体项目第一批晶圆片正式投料,标志着湖北三安的Mini/Micro LED芯片生产线投产。

摘要： 数十KK级别的巨量转移技术是推动MicroLED商用的关键环节,现有LED芯片转移方式无法满足,需要全新的技术实现:MicroLED显示技术在芯片制作、巨量转移、检测修复等领域尚有很多技术问题要解决。MicroLED是未来最具潜力的新型显示技术:LEDinside定义MicroLED指无蓝宝石衬底,且芯片尺寸至少小于75pm的微型LED芯片,MicroLED阵列可以达到超高密度像素级别并具备自发光特性。

摘要： 在知识产权愈发重要的情况下,企业该如何调整经营策略?近年来,企业专利保护意识不断增强,专利纠纷案件持续增多。知识产权保护对高科技企业的发展有何影响?在知识产权愈发重要的情况下,企业该如何调整经营策略?2020年底,国内LED芯片行业市场份额排名第一的三安光电股份有限公司和排名第二的华灿光电股份有限公司卷入一起涉及LED芯片基础技术的专利纠纷,如此量级的两家公司爆发知识产权冲突引发了业界的广泛关注。

摘要： 三安光电(600703.SH)既是LED光电龙头,也是集成电路新贵,它从照明领域的LED芯片出发延伸至Mini LED、Micro LED等高端芯片领域,又砸重金布局PA射频、第三代半导体材料等领域,只要能在其中某一条赛道做到全球领先,都不止现在的千亿市值。但尽管布局优质赛道,LED也逐渐回暖,三安光电仍处于“青黄不接”的状态,2021年一季度,其营收为27.17亿元,同比增加62%,归母净利润为5.57亿元,同比增加42%,但政府补助在当期归母净利润中占比近九成,实际上扣非归母净利润同比减少54%。

摘要： 采用磁控溅射的方法将掺杂了三氧化二镓的氧化锌薄膜(GZO)沉积在p型氮化镓衬底上并通过离子刻蚀制备出LED芯片,研究在空气和氮气氛围不同温度退火后的透过率和LED芯片在氮气氛围400°C退火后的性能.得如下结论：在氮气氛围下,400°C退火后透过率最高,为90.17％;空气退火后GZO薄膜的透过率比氮气退火的高;LED芯片400°C退火后,芯片的电压电流曲线有所改善,但芯片的亮度曲线和强度曲线均变差,说明磁控溅射的GZO电极的LED芯片不适合氮气氛围400°C退火.

摘要： 采用磁控溅射的方法将掺杂了三氧化二镓的氧化锌薄膜(GZO)沉积在p型氮化镓衬底上并通过离子刻蚀制备出LED芯片,研究在空气和氮气氛围不同温度退火后的透过率和LED芯片在氮气氛围400°C退火后的性能.得如下结论：在氮气氛围下,400°C退火后透过率最高,为90.17％;空气退火后GZO薄膜的透过率比氮气退火的高;LED芯片400°C退火后,芯片的电压电流曲线有所改善,但芯片的亮度曲线和强度曲线均变差,说明磁控溅射的GZO电极的LED芯片不适合氮气氛围400°C退火.

摘要： 采用磁控溅射的方法将掺杂了三氧化二镓的氧化锌薄膜(GZO)沉积在p型氮化镓衬底上并通过离子刻蚀制备出LED芯片,研究在空气和氮气氛围不同温度退火后的透过率和LED芯片在氮气氛围400°C退火后的性能.得如下结论：在氮气氛围下,400°C退火后透过率最高,为90.17％;空气退火后GZO薄膜的透过率比氮气退火的高;LED芯片400°C退火后,芯片的电压电流曲线有所改善,但芯片的亮度曲线和强度曲线均变差,说明磁控溅射的GZO电极的LED芯片不适合氮气氛围400°C退火.

摘要： 采用磁控溅射的方法将掺杂了三氧化二镓的氧化锌薄膜(GZO)沉积在p型氮化镓衬底上并通过离子刻蚀制备出LED芯片,研究在空气和氮气氛围不同温度退火后的透过率和LED芯片在氮气氛围400°C退火后的性能.得如下结论：在氮气氛围下,400°C退火后透过率最高,为90.17％;空气退火后GZO薄膜的透过率比氮气退火的高;LED芯片400°C退火后,芯片的电压电流曲线有所改善,但芯片的亮度曲线和强度曲线均变差,说明磁控溅射的GZO电极的LED芯片不适合氮气氛围400°C退火.

摘要： 采用磁控溅射的方法将掺杂了三氧化二镓的氧化锌薄膜(GZO)沉积在p型氮化镓衬底上并通过离子刻蚀制备出LED芯片,研究在空气和氮气氛围不同温度退火后的透过率和LED芯片在氮气氛围400°C退火后的性能.得如下结论：在氮气氛围下,400°C退火后透过率最高,为90.17％;空气退火后GZO薄膜的透过率比氮气退火的高;LED芯片400°C退火后,芯片的电压电流曲线有所改善,但芯片的亮度曲线和强度曲线均变差,说明磁控溅射的GZO电极的LED芯片不适合氮气氛围400°C退火.

摘要： 采用磁控溅射的方法将掺杂了三氧化二镓的氧化锌薄膜(GZO)沉积在p型氮化镓衬底上并通过离子刻蚀制备出LED芯片,研究在空气和氮气氛围不同温度退火后的透过率和LED芯片在氮气氛围400°C退火后的性能.得如下结论：在氮气氛围下,400°C退火后透过率最高,为90.17％;空气退火后GZO薄膜的透过率比氮气退火的高;LED芯片400°C退火后,芯片的电压电流曲线有所改善,但芯片的亮度曲线和强度曲线均变差,说明磁控溅射的GZO电极的LED芯片不适合氮气氛围400°C退火.

摘要： 就PCB板老化在LED芯片生产中的应用优势进行了实验论证，通过与环氧树脂封装老化结果比对。阐述了PCB板老化在排除环氧树脂等因素影响并提高实验效率等方面的优势，论证了PCB板老化在LED芯片生产中的实用性。

摘要： 就PCB板老化在LED芯片生产中的应用优势进行了实验论证，通过与环氧树脂封装老化结果比对。阐述了PCB板老化在排除环氧树脂等因素影响并提高实验效率等方面的优势，论证了PCB板老化在LED芯片生产中的实用性。

摘要： 就PCB板老化在LED芯片生产中的应用优势进行了实验论证，通过与环氧树脂封装老化结果比对。阐述了PCB板老化在排除环氧树脂等因素影响并提高实验效率等方面的优势，论证了PCB板老化在LED芯片生产中的实用性。

摘要： 就PCB板老化在LED芯片生产中的应用优势进行了实验论证，通过与环氧树脂封装老化结果比对。阐述了PCB板老化在排除环氧树脂等因素影响并提高实验效率等方面的优势，论证了PCB板老化在LED芯片生产中的实用性。

摘要： 本发明公开了一种LED芯片的PN台阶、LED芯片以及制作方法，所述LED芯片包括衬底和成形在所述衬底上的外延层，所述外延层具有PN台阶，所述PN台阶上覆盖有绝缘钝化膜，所述PN台阶的上台阶面为P型导电层，其下台阶面为N型导电层，所述上台阶面与所述下台阶面之间连接形成PN台阶侧面；其中，所述PN台阶侧面包括位于所述上台阶面的第一连接边和位于所述下台阶面的第二连接边，所述第二连接边位于所述第一连接边与所述下台阶面端部之间，且所述PN台阶侧面为曲面或斜面；本发明利于绝缘钝化膜在LED芯片上的覆盖效果，有效提高了LED芯片的开启电压，减少漏电流，同时还有效提高LED芯片的出光效率。

摘要： 公开了一种LED模块。该LED模块包括：安装基板，其包括电极；LED芯片，其包括半导体堆叠结构、覆盖半导体堆叠结构的外表面的钝化层、以及通过形成在钝化层中的开口连接到半导体堆叠结构的外表面的电极焊盘；以及焊接凸块，其将电极焊盘连接到对应的电极并使用由Sn‑M表示的焊料材料(其中M是金属)形成。电极焊盘中的每个包括：多层体，所述多层体包括多个金属层；和被连接到该多层体的接触体。接触体包括在开口外部与钝化层接触的表面接触部分以及通过开口与半导体堆叠结构接触的欧姆接触部分。与钝化层接触的表面接触部分阻止焊料凸块的Sn组分通过开口到达欧姆接触部分。

摘要： 本发明公开了一种LED芯片，包括：LED支架，LED支架包括本体和设置在本体之上的一个或多个焊盘，每个焊盘具有凹槽；LED管芯，LED管芯设置在LED支架上，LED管芯具有一个或多个管脚；一个或多个导线，导线的第一端与LED管芯的一个管脚电性连接，导线的第二端与LED支架的焊盘中的一个凹槽连接；导电体，导电体填充在凹槽之中。本发明的LED芯片通过导电体将导线的第二端与焊盘电性连接，相当于增大了焊接面积，能够提高导线与焊盘的结合力，提升LED自身结构稳定性，降低由焊点异常导致死灯的概率。本发明还公开了一种LED支架和LED芯片的封装方法。

摘要： 本发明提供了一种LED芯片、LED显示装置及LED芯片的加工方法，其中，LED芯片，包括：外延层，外延层的顶面形成出光面；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极间隔设置在外延层的底面处，第一电极和第二电极均与外延层导通连接；反射层，包覆在外延层的侧面和底面处，并避让第一电极和第二电极；量子层，设置在外延层的出光面处。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的蓝光LED激发量子点时泄露蓝光，导致颜色转换效果较差的问题。

摘要： 本发明提供了一种LED芯片组件、LED显示装置及LED芯片组件的加工方法，其中，LED芯片组件，包括：基体层；LED发光单元，设置在基体层内，LED发光单元包括LED芯片；透明支撑层，设置在基体层的前侧，并覆盖LED芯片的发光面；第一绝缘层，设置在基体层的后侧，第一绝缘层内设置有与LED芯片的第一电极连接的第一电路以及与LED芯片的第二电极连接的第二电路；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的后侧，第二绝缘层内设置有与第一电路导通连接的第一导电部以及与第二电路导通连接的第二导电部，第一导电部和第二导电部外露于第二绝缘层的后表面。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的电路板上预设线路的线宽线距无法满足与LED芯片的连接要求的问题。

摘要： 本发明提供一种LED芯片模块及多个LED芯片并联的LED灯珠，所述LED芯片模块包括多个呈阵列拼接的LED芯片。本发明将多个LED芯片拼接成一个LED芯片模块，可以根据实际需求对LED芯片模块进行裁切，从而得到所需功率的LED芯片模块，更便于用户使用。

摘要： 公开了一种LED模块。该LED模块包括：安装基板，其包括电极；LED芯片，其包括半导体堆叠结构、覆盖半导体堆叠结构的外表面的钝化层、以及通过形成在钝化层中的开口连接到半导体堆叠结构的外表面的电极焊盘；以及焊接凸块，其将电极焊盘连接到对应的电极并使用由Sn‑M表示的焊料材料(其中M是金属)形成。电极焊盘中的每个包括：多层体，所述多层体包括多个金属层；和被连接到该多层体的接触体。接触体包括在开口外部与钝化层接触的表面接触部分以及通过开口与半导体堆叠结构接触的欧姆接触部分。与钝化层接触的表面接触部分阻止焊料凸块的Sn组分通过开口到达欧姆接触部分。

摘要： 本实用新型涉及一种芯片级LED封装支架、LED拼板、芯片级LED封装体及LED板，芯片级LED封装体包括芯片级LED封装支架、LED芯片及覆盖在该支架与LED芯片上的保护胶，芯片级LED封装支架包括基底、金属电极及其延伸出的金属引脚，金属电极包括：第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极，第一电极与其余金属电极分别有间距的相邻排布在基底上，第一电极与其余金属电极连接相反极性的电源，连接方式为一正四负或一负四正，设置多个金属电极的结构，实现多芯片的连接；在封装作业上，可根据芯片不同类型的需求，改变固晶和焊线的方式完成，支架通用性强；LED拼板由多个芯片级LED封装支架拼接而成；LED板由多个芯片级LED封装体拼接而成。

摘要： 本实用新型涉及一种积分器、LED电流纹波消除电路及其芯片、LED驱动器及其芯片、LED设备，该积分器包括：电压比较模块，用于接收输入电压和参考电压，将两者进行比较并根据两者的比较结果而输出相应的逻辑信号；计数模块，用于根据电压比较模块输出的逻辑信号进行计数，生成数字控制信号；数模转换模块，用于对计数模块输出的数字控制信号进行数模转换，生成模拟控制信号。相比于采用差分放大器和滤波电容相组合的相关技术而言，电路结构简单且集成度更高，特别地，可免去配置大的滤波电容，实现了外围电路的简化，降低了系统成本，彻底消除外围滤波电容造成的失效问题。

摘要： 本实用新型提供了一种LED芯片以及具有该LED芯片的微LED显示面板，包括：衬底和位于衬底表面的外延结构，外延结构至少包括依次位于衬底表面的N型氮化镓层、量子阱发光层和P型氮化镓层；N型氮化镓层包括交替设置的第一氮化镓层和第二氮化镓层，第一氮化镓层中氮离子的浓度大于镓离子的浓度，第二氮化镓层中镓离子的浓度大于氮离子的浓度；外延结构的侧边为利用与第一氮化镓层和第二氮化镓层刻蚀速率不同的刻蚀气体刻蚀而成的波浪形的粗化的侧边，以提高LED芯片侧边出射光的散射效果，从而可以提高LED芯片侧边的发光角度，进而可以提高LED芯片边缘区域的亮度以及微LED显示面板的显示饱和度和逼真度。