量子阱
量子阱的相关文献在1986年到2023年内共计2092篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、一般工业技术
等领域,其中期刊论文896篇、会议论文71篇、专利文献30678篇;相关期刊268种,包括红外、红外与毫米波学报、发光学报等;
相关会议49种,包括第十四届全国LED产业发展与技术研讨会、第十届全国分子束外延学术会议、2012年中国工程热物理学会传热传质学学术年会等;量子阱的相关文献由3559位作者贡献,包括陆卫、李宁、陈效双等。
量子阱—发文量
专利文献>
论文:30678篇
占比:96.94%
总计:31645篇
量子阱
-研究学者
- 陆卫
- 李宁
- 陈效双
- 李志锋
- 甄红楼
- 李国强
- 徐现刚
- 陈平平
- 曹俊诚
- 李天信
- 许并社
- 牛智川
- 肖德元
- 郝跃
- 陈良惠
- 周均铭
- 吴荣汉
- 徐应强
- 张宇
- 张波
- 朱洪亮
- 王启明
- 王文樑
- 谢自力
- 刘式墉
- 刘斌
- 江德生
- 王少伟
- 种明
- 赵德刚
- 黄绮
- 刘国军
- 张汝京
- 曾一平
- 陈弘
- 张荣
- 梁希侠
- 班士良
- 郭旭光
- 刘宝林
- 张国义
- 张戎
- 林云昊
- 沈学础
- 肖景林
- 胡辉勇
- 马淑芳
- R.皮拉里塞蒂
- 宋建军
- 徐仲英
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段一名;
李学超;
张粮成;
赵庄
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摘要:
研究了正切平方量子阱(QWs)在不同温度、流体静压作用下的非线性光整流.在有效质量近似的框架下,通过求解薛定谔方程得到本征函数和能量本征值;通过利用密度矩阵理论和迭代方法,得到非线性光学整流(OR)的解析表达式.相关计算结果表明,流体静压、温度、限制势能和QWs的直径对OR系数有影响.研究所得结果可以为探讨正切平方量子阱的非线性光学整流提供理论依据.
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顾宏涛;
张宇;
院智涛;
蔡成杰
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摘要:
电吸收调制激光器具有响应速度快、功耗低等特点,在通信领域应用广泛。随着InP材料性能的提高,电吸收调制激光器也不断被优化。文章主要介绍InP材料与电吸收调制激光器的应用与研究进展,包括激光器的制备原理及关键工艺流程,以及InP材料的特性及其在激光器中的应用和发展前景。在开发新技术和研究方法的同时,需要合理解决产生的问题,才能促进新技术与新产品的进一步发展与应用。
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朱斌;
邓文娟;
王壮飞;
周甜;
吴粤川
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摘要:
本文设计了一种P型的GaN/AlGaN量子阱紫外-红外双色集成光电探测器结构,该结构工作在室温、零偏压下。先使用Silvaco TCAD软件对其进行光学特性仿真得到其光谱响应曲线;再对设计结构进行实物生长和表征分析;接着对其进行分光光度计测试;最后完成光电探测器器件的制备和光谱响应测试发现制备的器件在253.7nm光波段下的光谱响应值达到8.47mA/W,在可见光波段具备“日盲”特性,在780nm处有一响应值,约为0.013mA/W,而后随着光波长的增加,光响应减弱,与光学仿真结果趋势基本一致。
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宁超;
孙瑞轩;
于天;
刘舒曼;
张锦川;
卓宁;
王利军;
刘俊岐;
翟慎强;
李远;
刘峰奇
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摘要:
带间级联激光器有源区内部的物理机制复杂,尚未得到充分研究。优化了电子注入区结构,通过减小InAs/AlSb啁啾超晶格中InAs量子阱的厚度促进电子向光增益区的注入,在较低的电子注入区掺杂浓度下满足了光增益区电子数和空穴数基本相等的注入平衡条件,降低了有源区中自由载流子吸收和杂质散射造成的光损耗。采用该有源区结构的带间级联激光器实现了较好的室温激射性能,腔长4 mm、脊宽20μm且腔面未镀膜器件的阈值电流为200 mA,单腔面出光功率为55 mW。通过分析2~5 mm不同腔长器件的电压-电流-光功率性能,得到器件的波导损耗仅为3 cm^(-1),有源区载流子寿命为0.7 ns。
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黄卫国;
顾溢;
金宇航;
刘博文;
龚谦;
黄华;
王庶民;
马英杰;
张永刚
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摘要:
本工作在GaP/Si衬底上基于In_(0.83)Al_(0.17)As异变缓冲层实现了InAs/In_(0.83)Al_(0.17)As量子阱的生长。研究了GaxIn1-xP和GaAsyP1-y递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少。两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度。这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs量子阱结构具有相对更优的效果。
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王彦嫱
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摘要:
半导体激光器作为光电子科技的核心技术,受到各国科技界和产业界的高度重视。芯片是半导体激光器的核心技术之一,在逆全球化、中美贸易摩擦的背景下,我国半导体高端芯片受限风险激增。本文从专利分析的角度出发,对全球半导体激光器芯片的技术现状进行了研究和探讨。
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赵庄;
李学超;
张粮成;
段一名
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摘要:
从理论上研究了正切平方量子阱(QWs)在不同温度、流体静压作用下非线性光学折射率的变化.在有效质量近似的框架下,通过求解薛定谔方程得到本征函数和能量本征值.利用密度矩阵理论和迭代方法,得到了非线性光学折射率变化(RIC)的解析表达式.计算结果表明,流体静压、温度、电势和QWs的直径对RIC有很大的影响,所得结果可以为研究正切平方量子阱的光学折射率变化提供必要的理论依据.
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张迪;
巴诺;
费金有;
钟鑫
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摘要:
在一个具有隧穿感应量子干涉的非对称双量子阱中,设计一种可操控的空间涡旋四波混频方案.通过调谐探测场的失谐和耦合场及涡旋场的Rabi频率,可有效控制涡旋四波混频的螺旋位相和强度分布,并利用色散关系解释数值结果.
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林峰
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摘要:
该文结合PICS3D软件模拟,以1λ腔长、5对InGaAs/AlGaAs量子阱为基础,优化了有源区阱层的厚度、组分以及谐振腔腔长。模拟结果表明:随着量子阱个数的增加,微分电阻和阈值电流增大,弛豫振荡频率降低,阻尼因子变小;随着阱层In组分的增加,阈值电流变小,弛豫振荡频率和阻尼因子增大;腔长缩短为1/2λ,弛豫振荡频率增大,同时由于传输因子变小,阻尼因子不会限制调制响应带宽;在1/2λ腔中Al_(0.90)Ga_(0.10)As掺杂,可以使微分电阻变小。优化后的单氧化层VCSEL最大电光转换效率为42.3%,调制响应-3 dB带宽为25 GHz。
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张志海;
袁建辉
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摘要:
在本工作中,我们运用密度矩阵和迭代的方法系统研究了外加电场调控下AlGaAs/GaAs Rosen-Morse量子阱的非线性光学性质。同时我们采用有限差分方法求解该系统的能级以及对应的波函数。研究发现:非线性光吸收和光整流的共振峰的大小和位置与外加电场和系统的结构参数有着密切的关系;随着结构参数和外加电场的增大,非线性光吸收系数和光整流的峰值强度呈现出非线性的变化,这意味着通过调制外加电场和结构参数可实现对系统非线性光学性质的有效调控,从而给出系统最优化的设计方案。
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张克露;
谢圣文;
张宇;
徐应强;
王金良;
牛智川
- 《第十二届全国分子束外延学术会议》
| 2017年
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摘要:
目前半导体激光器功率转换效率低下,通过改变波导层限制层铝组分以及波导层厚度等方面的外延结构,可以降低串联电阻和工作电压,从而提高激光功率转换效率,为此使用固态源Gen-ⅡMBE系统,进行(AlGaIn)(AsSb)压应变单量子阱结构的激光器结构的稳定生长,通过改变波导层及限制层铝组分,结合标准的宽脊条半导体激光器制备工艺.
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邢军亮;
张宇;
王国伟;
王娟;
向伟;
任正伟;
徐应强;
牛智川
- 《第十届全国分子束外延学术会议》
| 2013年
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摘要:
锑化物半导体材料属于窄禁带材料,其禁带宽度对应于2-5μm中红外波段的大气窗口,此波段包括了很多重要的气体分子的特征谱线,同时在此波段激光在空气散射相对比较低,因而锑化物量子阱发光器件可以广泛应用于环境监测、生物医学、泄露监测、激光制导、红外对抗等领域.本文通过对InGaAsSb/AlGaInAsSb量子阱材料的光致发光特性研究,分析了生长参数对量子阱发光性能的影响,优化了3μm以上量子阱MBE生长参数,为锑化物发光器件外延生长奠定了坚实的基础.
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Yunjie Ke;
柯昀洁;
梁红伟;
Hongwei Liang;
Rensheng Shen;
申人升;
Shiwei Song;
宋世巍;
Xiaochuan Xia;
夏晓川;
Yang Liu;
柳阳;
张克雄;
Kexiong Zhang;
Guotong Du;
杜国同
- 《第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议》
| 2012年
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摘要:
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明,随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减小,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减小;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定。此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显。
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王平;
JongHoi Cho;
陈兆营;
盛博文;
YongHoon Cho;
王新强
- 《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》
| 2015年
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摘要:
面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究组进行该方面的研究.到目前为止,已有利用InAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InP/GaInP和CdSe/ZnSe等量子点实现单光子发射的实验报道.然而,InAs、GaAs、InP材料的室温激子束缚能却相对较小,分别为1meV、3.6meV和4.8meV,因此低温工作也成为限制InAs和InP量子点单光子源实用化的一个瓶颈.本工作首先利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备和等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)设备在GaN模板上外延生长了In(Ga)N超薄单量子阱结构。通过改变In(Ga)N量子阱的In组分和厚度,对其发光波长进行调节。基于上述结构,利用纳米压印等微纳加工技术制备了最小直径为50nm、最大周期为3μm的纳米线阵列。此外,还利用PA-MBE在Si(lll)上自组装生长了GaN纳米线,并将In(Ga)N量子点耦合于纳米线中。TEM测试结果表明,MBE外延生长的In(Ga)N量子阱的厚度可低达一个原子层;自组装生长的GaN纳米线几乎是无位错的,In(Ga)N量子点成功耦合到GaN纳米线结构中,并且具有良好的三维限制效果。
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Jason Hoo;
胡建正;
Lion Wang;
汪洋;
Guo Quanyong;
郭泉泳;
Chunlei Guo;
郭春磊;
Liu Yingbin;
刘英斌;
Steven Lee;
李天笑
- 《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》
| 2014年
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摘要:
InGaN/GaNMQW发光波长对温度非常敏感.但是由于石墨载盘高速旋转、晶圆透明等原因,MOCVD外延过程中的温度控制和监测十分困难.本文综合红外温度测量原理、MQW样品的PL波长测量、MQW结构的XRD测量和模拟等手段,研究了测量温度与真实温度的对应关系.在满锅情况下,由于平片衬底与图形衬底对红外辐射的不同散射效果,造成真实温度一致的情况下,测量温度有10度左右的差别.而在少片情况下,蓝宝石衬底的保温效应比较明显,它造成了衬底间的温度干扰和控温不正确,在特定位置出现了较大的波长差别.为了让测量温度尽可能等同于真实温度,需要根据衬底种类、外延层结构等进行温度补偿.为了能稳定、重复的控制少片波长,应该采用每圈放1片衬底.
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于文惠;
王达健;
肖志国;
赵连城
- 《2011年全国半导体光源系统学术年会》
| 2011年
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摘要:
发展高Al成分的紫外和近紫外半导体芯片符合资源节省、高能密度、高显色性白光要求以及发展独立知识产权和可持续发展的LED全生命周期评价标准的技术趋势。针对现有的紫外LED材料AlGaN和InGaN量子效率远低于蓝光LED现状,我们联合开展了AlInGaN四元合金材料的MOCVD研发试验,通过成分设计和调整,禁带宽度覆盖从紫外到红外区域,得到无应变量子阱结构,减小了压电效应,提高电子和空穴的复合效率,采用其做有源层对于提高器件量子效率、抑制大功率LED电流衰减现象有显著效果。本论文采用MOCVD设备在蓝宝石衬底上制备出了高Al成分AlInGaN薄膜,分析了该薄膜的结构与光电性能,并探讨了其生长机理。
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