法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
授权
授权
2019-04-23
实质审查的生效 IPC(主分类):B29C64/386 申请日:20181010
实质审查的生效
2019-03-29
公开
公开
机译: 具有蚀刻停止层的光掩模结构,其能够修复其中检测到的缺陷以及使用该光掩模结构的极紫外(EUV)光刻方法
机译: 灰色色调掩模的缺陷检测方法和缺陷检测装置,光掩模的缺陷检测方法,制造灰色色调掩模的方法和图案转移方法
机译: 采用积层节点接触结构和积层薄膜晶体管的半导体集成电路及其制造方法