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公开/公告号CN101038798A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-09-19
原文格式PDF
申请/专利权人 琳得科株式会社;
申请/专利号CN200710085782.3
发明设计人 奥田卓也;福田达夫;村山健一;
申请日2007-03-14
分类号H01B3/00;H01B3/08;H01J17/02;H01J9/00;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人宋莉
地址 日本东京都
入库时间 2023-12-17 19:11:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-12-09
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-19
公开
机译: 含无机粉末的树脂组合物,成膜材料层,转移片,介电层,介电层形成基质和介电层形成基质的生产方法
机译: 含无机粉末的树脂组合物,形成膜的材料层,转移片,制备介电层形成的基质的方法以及介电层形成的基质
机译: 含无机粉末的树脂组合物,成膜材料层,转移片,制造介电层形成基质和介电层形成基质的方法
机译:使用Al_2O_3原子层沉积粘附层改善SiLK低介电常数聚合物介电层上TiN原子层沉积膜的成核作用
机译:球形金属氧化物纳米粒子形成介电层的金属-介电-金属结构的电导率
机译:在AniBv半导体上形成铝和硅氧化物的介电纳米层
机译:硼掺杂硅基板上的接触形成通过筛选PECV沉积的介电掺杂层,通过丝网印刷AG浆料用于高效N型硅太阳能电池
机译:使用介电常数化学和原子层沉积技术,在高介电常数薄膜和III-V化合物半导体之间形成界面。
机译:具有通过自氧化形成的AlOx介电层的氢封端金刚石场效应晶体管
机译:原子层沉积在石墨烯上的超薄介电层的基底辅助成核
机译:用无线电波法测定介电基板上介电层的性质