摘要:用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>为缓冲层的Ni<,74>Co<,26>薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>做缓冲层的Ni<,74>Co<,26>薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni<,74>Co<,26>薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni<,74>Co<,26>薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43﹪.X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>与磁性层Ni<,74>Co<,26>有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值.