Effect of High Temperature Annealing on Conduction-Type ZnO Films Prepared  by Direct-Current Magnetron Sputtering

孙利杰; 何冬凯; 徐小秋; 钟泽; 邬小鹏; 林碧霞; 傅竹西

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我们试验性地发现 dc 磁控管劈啪作响扔的 ZnO 薄电影在在高温度退火在以后有不同传导类型不同周围。ZnO 拍摄的霍尔大小表演在 N2 并且在 O2 在 1100degC 退火了周围的变得的 n 类型和 p 类型分别地。这由于由退火在的不同内在的缺点的产生不同周围。X 光检查光电子光谱学和光致发光大小显示那锌空隙变得一在在 N2 在 1100degC 退火以后的主要缺点周围，并且这些缺点为 ZnO 的 n 类型电导率起一个重要作用。当 ZnO 电影在 O2 在 1100degC 退火了时周围，氧 antisite 贡献 ZnO 电影到 p 类型。[从作者抽象]

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2010年第12期|158-161|共4页
作者
孙利杰; 何冬凯; 徐小秋; 钟泽; 邬小鹏; 林碧霞; 傅竹西;
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作者单位

Department of Physics;

University of Science and Technology of China;

Hefei 230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.21;TN304.23;
关键词
直流磁控溅射; 氧化锌薄膜; 高温退火; 传导型; 溅射制备; X射线光电子能谱; ZnO薄膜; 固有缺陷;

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