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《中国物理快报:英文版》
>Influence of O2 Flux on Compositions and Properties of ITO Films Deposited at Room Temperature by Direct-Current Pulse Magnetron Sputtering
Influence of O2 Flux on Compositions and Properties of ITO Films Deposited at Room Temperature by Direct-Current Pulse Magnetron Sputtering
铟锡氧化物(ITO ) 电影被 dc 脉搏磁控管劈啪作响在房间温度在玻璃底层上扔。变化 O2 流动,有不同性质的 ITO 电影被获得。X 光衍射计和 X 光光电子分光计被用来分别地学习水晶的结构的变化和 ITO 电影的结合的结构。电的性质被四点的探查大小测量。结果显示 ITO 电影的化学结构和作文强烈取决于 O2 流动。与增加 O2 流动, ITO 电影显示更好的结晶化,它能减少电影的抵抗力。相反, ITO 电影与增加 O2 流动包含更少的 O 空缺,它能变得更坏电影的传导性的性质。没有任何东西,加热处理到样品上, ITO 电影的抵抗力能到达 6.0 x 10 [?] 4 O * 厘米,与 0.2 sccm O2 流动的最佳的免职参数。[从作者抽象]
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机译:Thermal crystallization kinetic and electrical properties of partly crystallized amorphous indium oxide thin films sputtering deposited in the presence or the absence of water vapor