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Semiconducting device manufacturing method involves forming dielectric layer with contact hole on substrate, forming conductive layer, etching dielectric layer to defined thickness

机译：半导体器件的制造方法涉及在基板上形成具有接触孔的电介质层，形成导电层，将电介质层蚀刻至规定的厚度

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摘要

The method involves forming a dielectric layer with a contact hole (30) on a substrate (1), forming a first conductive layer (41) connected to the substrate in the contact hole and removing the dielectric layer to a defined thickness from an exposed surface using a selective wet etching process with respect to the first conductive layer. Independent claims are also included for the following: a semiconducting device.

机译：该方法包括在基板（1）上形成具有接触孔（30）的介电层，在接触孔中形成连接至基板的第一导电层（41），并从暴露的表面去除介电层至规定的厚度。使用相对于第一导电层的选择性湿蚀刻工艺。还包括以下方面的独立权利要求：半导体装置。

著录项

公开/公告号DE10044470A1

专利类型
公开/公告日2001-07-19

原文格式PDF
申请/专利权人 MITSUBISHI DENKI K.K. TOKIO/TOKYO;
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申请/专利号DE2000144470
发明设计人 NAKATA YOJI;NAGAI YUKIHIRO;MAMETANI TOMOHARU;KIDO SHIGENORI;KISHIDA TAKESHI;MATSUFUSA JIRO;KINUGASA AKINORI;NISHIMURA HIROAKI;
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申请日2000-09-08
分类号H01L21/283;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 01:09:41

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