机译:通过高压CF4等离子体选择性蚀刻六边形氮化物,用于将个体一维欧姆触点到石墨烯层
机译:通过高压CF_4等离子体选择性蚀刻六边形氮化物,用于各自一维欧姆触点到石墨烯层
机译:通过各向异性蚀刻在六角形氮化硼上图形化具有锯齿形边缘的单层石墨烯
机译:通过各向异性刻蚀制造六方氮化硼和硼碳氮层的特殊结构
机译:调节插层石墨烯和六方氮化硼三层的电子和结构性质:从头算研究
机译:六方氮化硼/石墨烯异质结构,六方氮化硼层和立方氮化硼纳米点的分子束外延生长
机译:可调整的通过单层的阴离子选择性迁移石墨烯和六方氮化硼
机译:通过单层石墨烯和六边形氮化物可调谐阴离子选择性运输