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Molecular dynamics simulation of ion implantation into hafnium dioxide

机译：离子注入二氧化ha的分子动力学模拟

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The molecular dynamics (MD) method, with David Cai's electronic stopping power model applied, is successfully applied to simulate implantation into HfO_2. For the first time, a reliable fitting value of the single electron radius in the electronic stopping power model is given for boron, arsenic and phosphorus implantation into HfO_2. Excellent agreement between simulation results and SIMS data has been obtained over the energy range of 3-40 keV using the derived fitting value. Our simulation results are found to be in better agreement with the SIMS data than those obtained by means of the traditional simulator TSUPREM4.
机译：分子动力学（MD）方法，应用了戴维·蔡（David Cai）的电子制动力模型，成功地模拟了向HfO_2的注入。首次给出了电子停止功率模型中单电子半径的可靠拟合值，用于将硼，砷和磷注入HfO_2中。使用推导的拟合值，在3-40 keV的能量范围内，仿真结果与SIMS数据之间取得了极好的一致性。与通过传统模拟器TSUPREM4获得的模拟结果相比，我们的模拟结果与SIMS数据具有更好的一致性。

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