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首页> 外文期刊>Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. B, Beam Interactions with Materials and Atoms >Computer simulation of TOF-ICISS spectra applied to Ta segregation on TiC(001) surface
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Computer simulation of TOF-ICISS spectra applied to Ta segregation on TiC(001) surface

机译：TOF-ICISS光谱应用于TiC（001）表面Ta偏析的计算机模拟

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The segregation of Ta implanted onto the TiC(001) surface has been investigated using the computer simulation of time-of-flight impact-collision ion scattering spectroscopy (TOF-ICISS). The computer simulations employing the ACOCT program code that treats the atomic collisions three-dimensionally and is based on the binary collision approximation (BCA) were carried out for the case of 2 keV He~+ ions incident along the [110] azimuth of the Ta-segregated TiC(001) surface. From the comparison of ACOCT results with TOF-ICISS data of Hwang et al. [Nucl. Instr. and Meth. B 184 (2001) 555], it is found that the experimental results are relatively well reproduced by the ACOCT simulations including the concentration values of 25%, 20%, 15%, 10% and 5% of segregated Ta atoms at the Ti site in the first, second, third, fourth and fifth layers, respectively.
机译：使用飞行时间碰撞碰撞离子散射光谱（TOF-ICISS）的计算机模拟研究了植入TiC（001）表面的Ta的偏析。对于沿Ta的[110]方位入射2 keV He〜+离子的情况，使用了ACOCT程序代码对计算机进行了三维模拟，该程序以三维碰撞近似（BCA）方式对三维原子碰撞进行了处理。 -分离的TiC（001）表面。通过ACOCT结果与Hwang等人的TOF-ICISS数据的比较。 [核仁。仪器和方法。 B 184（2001）555]，发现实验结果通过ACOCT模拟得到了相对较好的重现，包括Ti位置25％，20％，15％，10％和5％的偏析Ta原子的浓度值分别在第一，第二，第三，第四和第五层。

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