Ion-beam mixing at Ni-6H-SiC interface under irradiation by H~+-ions

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• 来源
  《Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. B, Beam Interactions with Materials and Atoms》 |2004年第4期|p.385-388|共4页
• 作者

  V.V. Kozlovski; V.N. Lomasov; D.S. Rumyantsev; I.V. Grekhov; P.A. Ivanov; T.P. Samsonova; H.I. Helava; L.O. Ragle;

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• 作者单位

  St. Petersburg State Polytechnical University, 29 Polytechnicheskaya, 195251 St.-Petersburg, Russia;

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 原子核物理学、高能物理学;原子能技术;
• 关键词

  metal-semiconductor interface; ion-beam mixing; hydrogen particles; nickel silicide;

  机译：金属-半导体界面;离子束混合;氢粒子;硅化镍;