华灿光电第三代半导体GaN布局迎来加速发展

机译：用于多光谱光电探测器的多层材料与宽带隙半导体的集成：MoS_2 / GaN和β-In_2Se_3/ GaN的情况

机译：Al / SiO2 / n-GaN和ITO / SiO2 / n-GaN金属??氧化物??半导体光电探测器的电和光学性能比较

机译：具有SiN / GaN成核层的GaN金属-半导体-金属光电探测器

机译：GaN金属-半导体界面及其在GaN和InGaN金属-半导体-金属光电探测器中的应用

机译：第三代同步加速器辐射在真空紫外（VUV）光电离光谱和动力学中的应用。

机译：非极性（112̅0）GaN金属–半导体–金属光电探测器在硅上具有卓越的性能

机译：使用生长方法和不同层间改进GaN半导体改进GaN半导体的光电性能

机译：基于GaN，Ga（x）In（1-x）N和al（x）-Ga（1-x）N外延层的半导体激光器光电机制研究

机译：半导体集成电路的布局设计方法，半导体集成电路的自动布局设计设备，半导体集成电路的布局设计辅助系统，光电掩模，光电二极管制造方法，导体，方法，导体，方法，导体，方法

机译：离子注入制备基于gan的光电半导体芯片的方法及相应的光电半导体芯片

机译：GaN基半导体发光元件和GaN基光电检测元件