ZnO纳米棒/Bi_(2)S_(3)量子点异质结的制备及光电探测性能研究

朱建华; 容萍; 任帅; 郭鑫煜; 高世勇

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为了获得具有多波段响应的ZnO基宽光谱光电探测器,将ZnO与其它窄带隙半导体耦合构建异质结,并基于此制备了光电探测器。本文采用水热法结合连续离子层吸附反应法在FTO衬底上成功制备了ZnO纳米棒/Bi_(2)S_(3)量子点异质结材料。通过扫描电子显微镜和能谱仪表征了ZnO纳米棒/Bi_(2)S_(3)量子点异质结的表面形貌和元素组成。结果表明,Bi_(2)S_(3)量子点均匀且致密地附着在整个ZnO纳米棒上。此外,基于该ZnO纳米棒/Bi_(2)S_(3)量子点异质结制备的探测器能够在无外加偏压条件下工作,即具有自供能特性。与ZnO纳米棒探测器相比,ZnO纳米棒/Bi_(2)S_(3)量子点探测器在紫外光照射下的光电流增大了0.065 mA,这主要是因为两者形成的异质结能够有效抑制光生载流子的复合。此外,ZnO纳米棒/Bi_(2)S_(3)量子点探测器对可见光也具有优异的探测能力,其对波长为470 nm的蓝光和530 nm的绿光的探测均表现出良好的循环稳定性。

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来源
《光学精密工程》 |2022年第16期|1915-1923|共9页
作者
朱建华; 容萍; 任帅; 郭鑫煜; 高世勇;
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作者单位

太原学院材料与化学工程系;

哈尔滨工业大学材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电器件;
关键词
异质结; 紫外探测; 可见光探测; ZNO纳米棒; Bi_(2)S_(3)量子点;

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