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RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱

         

摘要

应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Get1-xCx薄膜.制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了C含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜.X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构.用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ce1-xCx薄膜中C的化学键合变化.研究结果表明;当x>0.78时,成键为C-H键;当x为0.53~0.62时,成键为C-C键;当x<0.47时,成键为Ge-C键.

著录项

  • 来源
    《光学精密工程》 |2008年第4期|565-569|共5页
  • 作者单位

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033;

    中国科学院,研究生院,北京,100039;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033;

    中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033;

    中国科学院,研究生院,北京,100039;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 能谱分析;
  • 关键词

    Ge1-xCx薄膜; 低压反应离子镀; X射线光电子能谱; 离子辅助沉积;

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