基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析

王家畴; 荣伟彬; 李昕欣; 孙立宁

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基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析

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针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台.介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法.同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法.通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5 μm,厚度为50μm的梳齿结构.

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来源
《光学精密工程》 |2008年第4期|636-641|共6页
作者
王家畴; 荣伟彬; 李昕欣; 孙立宁;
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作者单位

哈尔滨工业大学,机器人研究所,黑龙江,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,机器人研究所,黑龙江,哈尔滨,150001;

中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点联合实验室,上海,200050;

哈尔滨工业大学,机器人研究所,黑龙江,哈尔滨,150001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
体硅工艺; 深度反应离子刻蚀; 背片技术; 面内侧面压阻; 纳米级定位平台;

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