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吕玉山; 王军; 张辽远; 冯连东;
沈阳理工大学,机械工程学院,辽宁,沈阳,110168;
化学机械抛光; 单晶硅片; 接触压强分布; 平面度误差;
机译:过氧化氢浓度对最终抛光后硅片表面微观粗糙度的影响
机译:羟乙基纤维素浓度对硅抛光后硅片表面质量的影响
机译:硅片刻蚀对硅片选择性的负面影响以及光电流对不同晶圆偏置频率的栅刻蚀中刻蚀轮廓的正影响
机译:工件表面轮廓对抛光过程中材料去除率分布的影响
机译:表面调整后,不同的精加工和抛光技术对四种陶瓷材料的表面粗糙度的影响。
机译:化学机械抛光实施后化学机械抛光对钛植入物表面性质的影响FT-IR和钛植入物表面的润湿性数据
机译:各种抛光方法和抛光系统对细颗粒杂化复合材料表面质量的影响:轮廓分析和扫描电子显微镜体外研究
机译:利用平滑多项式附加厚度分布对两个NaCa翼型上表面进行修正的理论效应,这些分布强调了边缘轮廓,并且在拖尾边缘处具有不同的变化
机译:半导体晶片的再抛光方法,例如存储元件,涉及当抛光的半导体晶片在晶片的再抛光期间表现出凹/凸厚度轮廓时,影响凹/凸腐蚀轮廓
机译:抛光方法例如n型硅片涉及通过抬起覆盖有抛光垫的衬底表面并及时用水冲洗衬底表面来终止对半导体材料制成的衬底的抛光
机译:用于纸或纸板或薄纸网的压辊,用于提取水和/或抛光表面,其压靴具有凹入的压榨表面和一个去耦区域,以减少热量对压榨压力分布的影响
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