补偿硅的温度敏感特性

著录项

• 来源
  《电子元件与材料》 |2004年第5期|23-2428|共3页
• 作者

  张建; 巴维真; 陈朝阳; 丛秀云; 陶明德; M．K．巴哈迪尔哈诺夫;

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• 作者单位

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

  中国科学院新疆理化技术研究所,新疆,乌鲁木齐,830011;

  塔什干国立技术大学,乌孜别克斯坦,塔什干,700095;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 材料;
• 关键词

  补偿硅; 高补偿; 过补偿; 温敏特性;