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李艳霞; 姚熹; 张良莹;
同济大学功能材料研究所,上海,200092;
钛酸钡; Ba/Ti摩尔比; B位掺杂; 电阻率; 介电性能;
机译:不同工艺和Ti / Zn摩尔比对Ti3 +自掺杂钛锌杂化氧化物的结构,形貌以及增强的光电化学和光催化性能的影响
机译:Ba / Y摩尔比对掺杂BaTiO3的YBa2Cu3O(7-delta)薄膜超导性能的影响
机译:Ba / Ti比对钛酸钡基微晶玻璃结构和介电性能的影响
机译:晶粒尺寸效应和BA / Ti比对钛酸钡陶瓷介质,铁电和压电性能的影响
机译:th(0.5-x)铅(0.5-x)p(2 x))锶(2- y)钡(y)钙(2)铜(3)氧(z)高-温度超导体以确定最佳钡浓度,并研究and和铅位中掺杂euro的影响。
机译:洞察钇掺杂的影响电子结构上BaTiO3的Ba和Ti位和光学性质:第一性原理研究
机译:镝掺杂钛酸钡陶瓷的微观结构和介电性能镝掺杂钛酸钡陶瓷的微观结构和介电性能
机译:Ba,Zr共掺杂钛酸钡的机电行为组成依赖性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3膜,可用于铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
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