Improvement of High Temperature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with  Carbon Incorporation

高勇; 刘静; 杨媛

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Improvement of High Temperature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with Carbon Incorporation

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SiGeC p-i-n 二极管的温度依赖者特征被分析并且讨论。基于 ISE 数据，温度依赖者为 SiGeC/Si 二极管适用的物理模型被介绍。由于进 SiGe 系统的碳的增加， SiGeC 二极管的热稳定性显著地被改进。把二极管比作 SiGe， SiGeC 二极管的反向的漏电流被 97.1% 在 400K 减少，它的阀值电压移动从 300K 与增加的温度超过 65.3% 被归结为 400 K。而且，快、软的反向的恢复特征也为 SiGeC 二极管在 400K 被获得。作为结果， SiGeC 二极管的最显著的特征是更好高温度的特征，这能被用于高温度直到 400 K。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2008年第6期|2285-2288|共4页
作者
高勇; 刘静; 杨媛;
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作者单位

Department of Electronic Engineering;

Xi'an University of Technology;

Xi'an 710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类二极管：按结构和性能分;
关键词
SiGeC二极管; 高温特征; 碳结合; 物理模型;

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