Gas Source MBE-Grown Metamorphic InGaAs Photodetectors using InAlAs  Buffer and Cap Layers with Cut-off Wavelength up to 2.7 μm

田招兵; 顾溢; 王凯; 张永刚

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2008年第6期|2292-2295|共4页
作者
田招兵; 顾溢; 王凯; 张永刚;
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作者单位

State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics;

Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology;

Chinese Academy of Sciences;

Shanghai 200050;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类二极管：按结构和性能分;
关键词
光电二极管; 分子束外延生长; InGaAs光电探测器; InAlAs缓冲器;

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