Spin Splitting in In0.53Ga0.47As/InP Heterostructures

商丽燕; 俞国林; 林铁; 周文政; 郭少令; 戴宁; 褚君浩

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在控制门的 In0.53Ga0.47As/InP 量联合很好的纺纱轨道面对大 Zeeman 效果被调查。我们开发一个 Fourier 变换恰当的过程提取零地的切开纺纱的 Rashba 参数高山哈。赤裸的 g 因素价值被发现从在倾斜的磁场的磁电机运输大小具有 3 的顺序。切开的 Zeeman 和切开的 Rashba 在决定在 In0.53Ga0.47As 切开的全部的旋转起重要作用，这被发现。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2008年第6期|2194-2197|共4页
作者
商丽燕; 俞国林; 林铁; 周文政; 郭少令; 戴宁; 褚君浩;
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作者单位

National Laboratory for Infrared Physics;

Shanghai Institute of Technical Physics;

Chinese Academy of Sciences;

Shanghai 200083;

Physicals Science and Technology College;

Guangxi University;

Nanning 530004;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
二极管; 半导体材料; 异质结构; InGaAs/InP; 量子阱;

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