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Interface Evolution of TiN/Poly Si as Gate Material on Si/HfO2 Stack

         

摘要

在 Si/HfO2/TiN/poly-Si 栈的门电极在退火的帖子金属以后被评估的锡处理。接口反应用 electron-energy-loss 光谱学和 X 光光电子光谱学被调查。TiN/poly-Si 栈的工作函数证明退火的帖子金属免职上的强壮的依赖调节。自从 TiSiN 与锡和 poly-Si 相比拥有更高的工作功能,在 TiN/poly-Si 接口的界面的产品作为 TiSiN 被推断,它为整个 high-k 栈是有益的。

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