Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology

陈弘达; 刘海军; 刘金彬; 顾明; 黄北举

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与不同结构射出设备的二盏硅灯在标准 0.35 μm 被认识到互补 metal-oxide-semiconductor (互补金属氧化物半导体) 技术。他们在反向的故障模式操作并且能在 8.3 V 被打开。输出 13.6 nW 的光力量，分别地， 12.1 nW 在 10 V 和 100 妈被测量计算轻排放紧张是超过 1 mW/cm 2 。二台设备的光系列在有 760 nm 附近的一座清楚的山峰的 600 790 nm 之间。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2007年第1期|265-267|共3页
作者
陈弘达; 刘海军; 刘金彬; 顾明; 黄北举;
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作者单位

State Key Lab on Integrated Optoelectronics;

Institute of Semiconductors;

Chinese Academy of Sciences;

Beijing 100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光学;
关键词
硅元素; 光发射; CMOS技术; 物理学;

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