Doped Polycrystalline 3C-SiC Films Deposited by LPCVD for Radio-Frequency MEMS Applications

著录项

• 来源
  《中国物理快报：英文版》 |2008年第6期|2269-2272|共4页
• 作者

  赵永梅; 孙国胜; 宁瑾; 刘兴昉; 赵万顺; 王雷; 李晋闽;

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• 作者单位

  Novel Semiconductor Material Laboratory;

  Institute of Semiconductors;

  Chinese Academy of Sciences;

  Beijing 100083;

  State Key Laboratories of Transducer Technology;

  Institute of Semiconductors;

  Chinese Academy of Sciences;

  Beijing 100083;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 薄膜的生长、结构和外延;
• 关键词

  低压化学气相沉积; 碳-碳化硅薄膜; 掺杂多晶; 射频微电子机械系统;