Observation of Nano-Dots on HOPG Surface Induced by Highly Charged Ar^q＋  Impact

王铁山; 杨秀玉; B.E.O’Rourke; 徐鹤; 陈亮; 程锐; 彭海波; Y.Mitsuda; Y.Yamazaki

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高度控告的离子(HCI ) 由于他们的高费用状态有巨大的势能。当 HCI 到达稳固的表面时，它的势能在表面上立即被释放引起一个 nano 规模缺点。因此， HCI 被期望有用为稳固表面的复数。nano 规模上的阳离子。我们在 lysin 的石墨(HOPG ) 表面与扫描探查显微镜学(SPM ) 与 20-2000qeV 的冲击能由慢高度控告的 Arq+ 离子导致了的高度面向的焦性没食子酸上调查缺点。以便澄清角色运动并且势能在的复数出现。阳离子， nano 缺点在侧面的尺寸和相应于动能和 HCI 的费用状态的高度被描绘。离子的势能和动能可以影响 nano 缺点的尺寸。因为势能与增加费用状态戏剧性地增加，势能效果被期望比在极其高的费用状态的情况中的动能效果大得多。这的复数暗示那纯表面。nano 规模上的阳离子能被慢高度控告的离子执行。nano 缺点区域的吝啬的尺寸能被选择费用状态和 HCI 的动能也控制。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2008年第6期|2020-2022|共3页
作者
王铁山; 杨秀玉; B.E.O’Rourke; 徐鹤; 陈亮; 程锐; 彭海波; Y.Mitsuda; Y.Yamazaki;
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作者单位

School of Nuclear Science and Technology;

Lanzhou University;

Lanzhou 730000;

Atomic Physics Laboratory;

RIKEN;

Saitama 351-0198;

Japan;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类粒子物理学;
关键词
热解石墨; 带电离子; 势能; 冲击能; 纳米点;

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