Three-Step Growth Optimization of AlN Epilayers by MOCVD

彭铭曾; 郭丽伟; 张洁; 于乃森; 朱学亮; 颜建锋; 葛炳辉; 贾海强; 陈弘; 周均铭

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Three-Step Growth Optimization of AlN Epilayers by MOCVD

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一个三步的生长过程为扔高质量的铝氮化物(AlN ) 被开发 epilayers 在上(001 ) 由低压力金属的蓝宝石器官的化学蒸汽免职(LP-MOCVD ) 。我们采用低温度(副) AlN 成核层(NL ) ，和二高温度(HT ) 有不同 V/III 比率的 AlN 层。我们的结果表明最佳的 NL 温度是 840 - 880 度 C，并且在那里存在切换从的合适的生长对为穿脱臼(TD ) 的进一步的减少的高 V/III 比率低。优化 AlN 电影的螺丝钉类型 TD 密度只是 7.86 x 10 (6 ) 厘米(大约三份订单比它的边类型降低的 -2), 2 x 10 之一(9 ) 厘米(-2) 由高分辨率的 X 光衍射(HRXRD ) 和代表性的传播电子显微镜学(TEM ) 估计了。

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来源
《中国物理快报：英文版》 |2008年第6期|2265-2268|共4页
作者
彭铭曾; 郭丽伟; 张洁; 于乃森; 朱学亮; 颜建锋; 葛炳辉; 贾海强; 陈弘; 周均铭;
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作者单位

Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics;

Institute of Physics;

Chinese Academy of Sciences;

PO Box 603;

Beijing 100080;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
金属有机化学气相沉积; 氮化铝; 薄膜技术; 三步生长最优化;

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