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张家祥; 卢凯; 郭建; 姜晓辉; 崔玉琳; 王亮; 阎长江; 曲连杰; 陈旭;
北京京东方光电科技有限公司,北京100176;
无退火工艺; 透过率; 氧化铟锡层; TFT特性;
机译:溶剂-气相退火的聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)复合薄膜的显着垂直相分离可为高性能无氧化铟锡光电器件带来更好的电导率和功函
机译:聚碳酸酯层,甲基丙烯酸铟,氧化铟锡,氧化铟锡,氧化铟锡层分形微观结构形成的现象研究
机译:通过150 C的氧气高压退火改善掺杂锡的氧化铟晶体管的器件性能
机译:快速热退火治疗的太赫兹器件应用的铟锡氧化铟锡纳米级膜的增强
机译:三元尖晶石锡酸镉,铟镉和锡酸锌以及二元氧化锡和氧化铟透明导电氧化物作为硫化镉/碲化镉光伏器件的前接触材料。
机译:TFT-LCD面板废料通过剥离法回收的氧化铟锡(ITO)纳米颗粒的特性
机译:用掺杂处理有机发光器件应用掺杂氧化铟锡外延层的工作功能改进
机译:锡注入蓝宝石诱导非晶层的形成和退火行为。
机译:在基质上制造平坦的氧化铟锡层的方法,包括步骤:溅射沉积铟锡氧化物层的一部分,加热基质,然后溅射沉积铟锡氧化物层的另一部分,以及涂覆基质氧化铟锡
机译:在基底上制备光滑的氧化铟锡层的方法,氧化铟锡的基质涂层和有机发光二极管
机译:在基底上制备光滑的氧化铟锡层的方法和氧化铟锡的基底涂层
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