• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Conference on enabling photonic technologies for aerospace applications >Above-GaAs-band-gap reflection modulator
【24h】

Above-GaAs-band-gap reflection modulator

机译：高于GaAs带 - 间隙反射调制器

获取原文
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Multiple triple qunatum wells (TQWs) are used in he active region of an AlGaAs p-i-n diode for a reflection modulator operating above the GaAs band gap. Photocurrent spectra of the TQW-based diode show sharp absorption features that retain their spectral character with reverse bias and show large Stark shifts - comparable to those obtained from alternative activelayer designs. Some performance characteristics of an 810-nm reflection modulator using the TQW active-layer design are presented. We also describe time-resolved pump/probe measurements made on a series of TQW-based p-i-n diodes with differing p-layer conductivity and contrast results with the predictions of a simplified model of the carrier dynamics.
机译：多个三重QuNatum阱（TQW）用于AlGaAS P-I-N二极管的活动区域，用于在GaAs带隙上方工作的反射调制器。基于TQW的二极管的光电流光谱显示出具有反向偏压的尖锐的吸收特征，并显示大的STARK偏移 - 与替代ActiveLayer设计中获得的那些相当。呈现了使用TQW主动层设计的810nm反射调制器的一些性能特征。我们还描述了在一系列基于TQW的P-I-N二极管上进行的时间分辨泵/探针测量，其具有不同的P层电导率和对比结果，与载波动态的简化模型的预测。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号