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首页> 外文会议>Conference on enabling photonic technologies for aerospace applications >A 2DEG Channel-Dependent Model for Hg_(x-x)Cd_x Te Based Pseudomorphic HEMTs
【24h】

A 2DEG Channel-Dependent Model for Hg_(x-x)Cd_x Te Based Pseudomorphic HEMTs

机译：基于HG_（X-X）CD_X TE的副词近似的2DEG通道依赖模型

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HgCdTe has emerged as an important electronic material because of its IRFPA applications. Technologies for growing the material are advanced and current sources for the material are more readily available than int he past. This brings an advantage to the manufacturing other types of HgCdTe devices. PHEMTs are attractive as applicatiosn of high-speed devices. In this paper, a model for PHEMT devices by using Hg_(1-x)Cd_xTe as device materials is presented. High digital performance of the device is expected because electron mobility of the material is very high at low temperatures.
机译：由于其IRFPA应用，HGCDTE已成为重要的电子材料。用于生长材料的技术是先进的，目前的材料来源比他过去的int更容易获得。这为制造其他类型的HGCDTE设备带来了优势。 PHEMTS作为高速设备的应用是有吸引力的。本文介绍了通过使用HG_（1-X）CD_XTE作为设备材料的PHEMT设备的模型。预计该装置的高数字性能是因为材料的电子迁移率在低温下非常高。

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