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氧化物半导体沟道层和高介电常数绝缘层材料的研究

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氧化物薄膜晶体管(TFT)因具有载流子迁移率高、关态电流小、宽禁带和工艺温度低等特点,在高分辨率、大面积、柔性、3D、透明和OLED等新型显示技术领域显示出良好的应用前景.氧化物半导体沟道层材料和栅介质层材料及其界面特性对氧化物TFTs器件的电学性能和稳定性具有重要的作用.虽然a-IGZO-TFTs已经走向产业化,为了进一步提升氧化物TFTs的器件性能,拓展其应用领域,新型氧化物半导体沟道层材料和高介电常数栅绝缘层材料的研究依然受到广泛关注.近年来，课题组开展了非晶掺钨氧化铟锌TFTs（a-IZO:W-TFTs）和掺氮氧化铟锌TFTs(a-IZO:N-TFTs)的研究，评价了相应器件的电学性能和稳定性。研究表明，掺钨和掺氮均对TFTs器件性能及其稳定性具有较大的影响，钨和氮在沟道层中起到了氧空位抑制剂的作用。在掺钨含量为6.2at.%研制

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|145|共1页
会议地点苏州
作者
张群; 李洪磊; 浦海峰; 崔璨; 严海;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.5;
关键词
氧化物薄膜晶体管; 沟道层; 绝缘层材料; 电学性能; 稳定性;

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